২০২৮ সালে জাপানে ৩-ন্যানোমিটার ওয়েফারের উৎপাদন শুরু করবে টিএসএমসি
বিশ্বের বৃহত্তম কনট্রাক্ট চিপ প্রস্তুতকারক প্রতিষ্ঠান টিএসএমসি জাপানে তাদের দ্বিতীয় কারখানায় ২০২৮ সালের মধ্যে ৩-ন্যানোমিটার ওয়েফারের ব্যাপক উৎপাদন শুরু করবে। মঙ্গলবার (৩১ মার্চ) প্রকাশিত তাইওয়ানের একটি সরকারি নথিতে এই তথ্য জানানো হয়েছে। খবর রয়টার্স।
নথি অনুসারে, জাপানের দ্বিতীয় কারখানায় উন্নত ৩-ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ায় মাসে ১৫ হাজার ১২-ইঞ্চি ওয়েফার উৎপাদন সক্ষমতা থাকবে।
২০২৪ সালে টিএসএমসি জানিয়েছিল, জাপানের প্রথম ও দ্বিতীয় কারখানায় মোট বিনিয়োগ ২০ বিলিয়ন ডলার ছাড়াবে এবং মাসে ১ লাখ ১২-ইঞ্চি ওয়েফার উৎপাদন হবে। তবে সেটি ছিল ৪০, ২২/২৮, ১২/১৬ ও ৬/৭-ন্যানোমিটারের মতো তুলনামূলক কম উন্নত প্রযুক্তিতে।
জাপানের সংবাদমাধ্যম ইয়োমিউরি ফেব্রুয়ারিতে জানায়, দ্বিতীয় কারখানায় বিনিয়োগ প্রায় ১৭ বিলিয়ন ডলার হতে পারে। তবে টিএসএমসি এই তথ্য এখনো নিশ্চিত করেনি।
২০২১ সালে টিএসএমসি সনি সেমিকন্ডাক্টর সলিউশনের সহায়তায় জাপানে তাদের সহায়ক প্রতিষ্ঠান জেএএসএম গঠন করে। পরে জাপানের ডেনসো কর্পোরেশন ও টয়োটা মোটর কর্পোরেশন সেখানে ক্ষুদ্র অংশীদার হিসেবে যোগ দেয়।
জাপানের প্রধানমন্ত্রী তাকাইচি সানায়ের সঙ্গে ফেব্রুয়ারির এক বৈঠকে টিএসএমসির প্রধান নির্বাহী সিসি ওয়েই জানান, জাপানের দ্বিতীয় কারখানায় ৩-ন্যানোমিটার চিপের ব্যাপক উৎপাদনের পরিকল্পনা রয়েছে। ২০২৪ সালের শেষ দিকে টিএসএমসির প্রথম জাপানি কারখানায় উৎপাদন শুরু হয়েছে।
উল্লেখ্য, জাপান সরকার সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে বিনিয়োগ বাড়াতে বিভিন্ন প্রণোদনা দিচ্ছে। সম্প্রতি দেশটির প্রধানমন্ত্রী টাকাইচি ঘোষণা দিয়েছেন, আগামী বছর জাপানের সেমিকন্ডাক্টর স্ট্র্যাটেজি আপডেট করা হবে, যাতে ডিজাইন থেকে শুরু করে এআই চিপ তৈরির মতো ক্ষেত্রেও বিনিয়োগ উৎসাহিত করা হবে।
ডিবিটেক/বিএমটি
