এনভিডিয়ার চাহিদা মেটাতে টিএসএমসির প্রযুক্তি ব্যবহার করবে স্যামসাং
এনভিডিয়ার পরবর্তী প্রজন্মের কাস্টম হাই-ব্যান্ডউইথ মেমোরি বা এইচবিএম চিপের বেস ডাই বা ভিত্তি অংশ তৈরিতে তাইওয়ান সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং কোম্পানির (টিএসএমসি) আধুনিক ৩-ন্যানোমিটার প্রক্রিয়া ব্যবহার করবে স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স।
সিউল ইকোনমিক ডেইলির এক প্রতিবেদনের সূত্রে এই তথ্য জানা গেছে।
এই চুক্তির মাধ্যমে এইচবিএম উৎপাদনের পর্যায়ে প্রথমবারের মতো তাইওয়ানের এই শীর্ষ চুক্তিভিত্তিক চিপ প্রস্তুতকারক প্রতিষ্ঠানের সঙ্গে যৌথভাবে কাজ করতে যাচ্ছে স্যামসাং।
এনভিডিয়ার কাস্টম 'এনভিএইচবিএম' প্রযুক্তি
প্রতিবেদনের তথ্য অনুযায়ী, এনভিডিয়া তাদের কাস্টম এনভিএইচবিএম বেস ডাইয়ের জন্য টিএসএমসির প্রযুক্তি এবং মূল বা কোর ডাইয়ের ক্ষেত্রে ষষ্ঠ প্রজন্মের ডির্যাম প্রযুক্তি ব্যবহারের অনুরোধ জানিয়েছে স্যামসাং, এসকে হাইনিক্স এবং মাইক্রন টেকনোলজিকে।
গত আগস্ট মাসে আনুষ্ঠানিকভাবে উন্মোচিত এই এনভিএইচবিএম প্রযুক্তিতে এনভিডিয়ার নিজস্ব কাস্টম মেমোরি কন্ট্রোলার সরাসরি বেস ডাইয়ের সঙ্গে যুক্ত করা হয়। বিভিন্ন মেমোরি সরবরাহকারীর উৎপাদনে একটি আদর্শ ও সুনির্দিষ্ট মান বজায় রাখাই এই উদ্যোগের মূল লক্ষ্য।
উৎপাদন কৌশল ও ভবিষ্যৎ পরিকল্পনা
অভ্যন্তরীণ মূল্যায়নের পর এনভিডিয়ার এই শর্ত মেনে নিয়েছে স্যামসাং। তবে স্ট্যান্ডার্ড এইচবিএম এবং অন্যান্য গ্রাহকদের কাস্টম পণ্যের ক্ষেত্রে স্যামসাং তাদের নিজস্ব অভ্যন্তরীণ উৎপাদন ধারা অব্যাহত রাখবে।
এর পাশাপাশি, ভবিষ্যতে যদি এনভিডিয়ার পণ্যের চাহিদা টিএসএমসির উৎপাদনক্ষমতাকে ছাড়িয়ে যায়, তবে স্যামসাংয়ের নিজস্ব ফাউন্ট্রি বা কারখানায় এই বেস ডাই তৈরি করা সম্ভব কি না, তা নিয়েও বিকল্প চিন্তাভাবনা করছে প্রতিষ্ঠানটি।
সেমিকন্ডাক্টর বাজারে প্রতিযোগিতার এই নতুন সমীকরণ প্রযুক্তি বিশ্বে গভীর প্রভাব ফেলবে বলে ধারণা করা হচ্ছে।
ডিবিটেক/বিএমটি । সূত্র: রয়টার্স
